1月20日，商務(wù)部發(fā)布2014年度第5號公告，公布了對太陽能級多晶硅（Solar-Grade Polysilicon）反傾銷調(diào)查的終裁決定。
商務(wù)部最終裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅產(chǎn)品存在傾銷，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實質(zhì)損害，且傾銷與實質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。根據(jù)《中華人民共和國反傾銷條例》有關(guān)規(guī)定，經(jīng)商務(wù)部建議，國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會決定，自2014年1月20日起，對上述產(chǎn)品征收反傾銷稅。進(jìn)口經(jīng)營者在進(jìn)口上述產(chǎn)品時，應(yīng)依據(jù)公告中列明的各公司稅率向中國海關(guān)繳納反傾銷稅。
本次反傾銷調(diào)查產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190，該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
關(guān)于對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級
多晶硅反傾銷調(diào)查的最終裁定的公告
2014年第5號
根據(jù)《中華人民共和國反傾銷條例》（以下稱《反傾銷條例》）的規(guī)定，2012年7月20日，商務(wù)部（以下稱調(diào)查機(jī)關(guān)）發(fā)布第40號公告，決定對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅（以下稱被調(diào)查產(chǎn)品）進(jìn)行反傾銷立案調(diào)查。該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
調(diào)查機(jī)關(guān)對被調(diào)查產(chǎn)品是否存在傾銷及傾銷幅度、中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)是否受到損害及損害程度以及傾銷與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。根據(jù)調(diào)查結(jié)果和《反傾銷條例》第二十四條的規(guī)定，2013年7月18日，調(diào)查機(jī)關(guān)發(fā)布初裁公告，認(rèn)定被調(diào)查產(chǎn)品存在傾銷，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到了實質(zhì)損害，而且傾銷與實質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。
初步裁定后，調(diào)查機(jī)關(guān)繼續(xù)對傾銷和傾銷幅度、損害和損害程度以及傾銷與損害之間的因果關(guān)系進(jìn)行調(diào)查?，F(xiàn)本案調(diào)查結(jié)束，根據(jù)調(diào)查結(jié)果，并依據(jù)《反傾銷條例》第二十五條的規(guī)定，調(diào)查機(jī)關(guān)作出最終裁定（見附件）?，F(xiàn)將有關(guān)事項公告如下：
一、最終裁定
經(jīng)過調(diào)查，調(diào)查機(jī)關(guān)最終裁定，在本案調(diào)查期內(nèi)，被調(diào)查產(chǎn)品存在傾銷，中國太陽能級多晶硅產(chǎn)業(yè)受到實質(zhì)損害，而且傾銷與實質(zhì)損害之間存在因果關(guān)系。
二、被調(diào)查產(chǎn)品范圍及措施范圍
本案被調(diào)查產(chǎn)品及實施措施產(chǎn)品的具體描述如下：
調(diào)查和措施范圍：原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅。
被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶硅。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。
被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯硅烷為原料采用（改良）西門子法和硅烷法等工藝生產(chǎn)的，用于生產(chǎn)晶體硅光伏電池的棒狀多晶硅、塊狀多晶硅、顆粒狀多晶硅產(chǎn)品。
被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω ? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω ? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×10-9;受主雜質(zhì)濃度>0.083×10-9 。
主要用途：主要用于太陽能級單晶硅棒和定向凝固多晶硅錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體硅光伏電池的主要原料。
該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項下用于生產(chǎn)集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品的電子級多晶硅不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。
三、征收反傾銷稅
根據(jù)《反傾銷條例》的有關(guān)規(guī)定，調(diào)查機(jī)關(guān)向國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會提出對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅征收反傾銷稅的建議。國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會根據(jù)調(diào)查機(jī)關(guān)的建議作出決定，自2014年1月20日起，對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅征收反傾銷稅。對各公司征收的反傾銷稅稅率如下：
美國公司
1. REC太陽能級硅有限責(zé)任公司 57%
（REC Solar Grade Silicon LLC）
2. REC先進(jìn)硅材料有限責(zé)任公司 57%
（REC Advanced Silicon Materials LLC）
3. 赫姆洛克半導(dǎo)體公司 53.3%
（Hemlock Semiconductor Corporation）
4. MEMC帕薩迪納有限公司 53.6%
（MEMC Pasadena,Inc.）
5.AE Polysilicon Corporation 57%
6. 其他美國公司 57%
（All Others）
韓國公司
1. 熊津多晶硅有限公司 12.3%
（Woongjin Polysilicon Co.,Ltd.）
2.OCI株式會社 2.4%
（OCI Company Ltd.）
3. 韓國硅業(yè)株式會社 2.8%
（Hankook Silicon Co.,Ltd.）
4.KCC Corp. and Korean Advanced Materials（KAM Corp.） 48.7%
5.Innovation Silicon Co.,Ltd. 48.7%
6. 其他韓國公司 12.3%
（AllOthers）
四、征收反傾銷稅的方法
自2014年1月20日起，進(jìn)口經(jīng)營者在進(jìn)口被調(diào)查產(chǎn)品時，應(yīng)向中華人民共和國海關(guān)繳納相應(yīng)的反傾銷稅。反傾銷稅以海關(guān)審定的完稅價格從價計征，計算公式為：反傾銷稅額=海關(guān)完稅價格×反傾銷稅稅率，進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅以海關(guān)審定的完稅價格加上關(guān)稅和反傾銷稅作為計稅價格從價計征。
五、反傾銷稅的追溯征收
對自2013年7月24日起至2014年1月19日止，有關(guān)進(jìn)口經(jīng)營者依初裁公告向中華人民共和國海關(guān)所提供的保證金，按終裁所確定的征收反傾銷稅的商品范圍和反傾銷稅稅率計征并轉(zhuǎn)為反傾銷稅，并按相應(yīng)的增值稅稅率計征進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅。在此期間有關(guān)進(jìn)口經(jīng)營者所提供的保證金超出反傾銷稅的部分，以及由此多征的進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅部分，海關(guān)予以退還，少征部分則不再征收。
對實施臨時反傾銷措施決定公告之日前進(jìn)口的原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅不再追溯征收反傾銷稅。
六、征收反傾銷稅的期限
對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅征收反傾銷稅的實施期限自2014年1月20日起5年。
七、新出口商復(fù)審
對于美國和韓國在調(diào)查期內(nèi)未向中華人民共和國出口被調(diào)查產(chǎn)品的新出口經(jīng)營者，符合條件的，可依據(jù)《反傾銷條例》第四十七條的規(guī)定，向調(diào)查機(jī)關(guān)書面申請新出口商復(fù)審。
八、期中復(fù)審
在征收反傾銷稅期間，有關(guān)利害關(guān)系方可以根據(jù)《反傾銷條例》第四十九條的規(guī)定，向調(diào)查機(jī)關(guān)書面申請期中復(fù)審。
九、行政復(fù)議和行政訴訟
對本案終裁決定及征收反傾銷稅的決定不服的，根據(jù)《反傾銷條例》第五十三條的規(guī)定，可以依法申請行政復(fù)議，也可以依法向人民法院提起訴訟。
十、本公告自2014年1月20日起執(zhí)行。
附件：中華人民共和國商務(wù)部對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶硅反傾銷調(diào)查的最終裁定.doc
中華人民共和國商務(wù)部
2014年1月20日
